动态消除缺陷
晶面工程结合硫阴离子迁移，同步优化催化位点电子结构，实现高活性与长寿命的统一。
Runhao, Zhang · Wangyang, Li · Zihan, Liu · 焦俊荣 · 赵勇 · 王晓兵
Chemical Engineering Journal 2025
硫迁移优化了催化中心电子结构，使10 mA cm⁻²时过电位从310 mV降至250 mV。
动态消除缺陷抑制性能衰减，在100 mA cm⁻²下可稳定工作580小时。
硫阴离子迁移降低了活性晶面形成所需的相变温度，使有利晶面在更温和条件下形成。