平面栅SiC MOSFET

浪涌特性清晰

针对第三象限浪涌工况,论文揭示了不同栅压和温度下的导通模式与失效机理,为器件选型和可靠性设计提供依据。

Binqi, Liang · 崔翔 · Zheng, Feilin · 李学宝 · Hongji, Li · Chen, Zhongyuan · Jin, Rui · Tang, Xinling

IEEE Transactions on Power Electronics 2025

技术优势

多导通模式明确

通过电-热耦合模型定量分析,计算结果与实验吻合,器件选型时可直接参考。

失效机理已总结

通过SEM分析芯片失效,并按栅压总结浪涌失效机理,可靠性设计有据可依。

模型可预测浪涌

建立的浪涌工况电-热耦合模型可定量计算导通模式,省去反复实验。

应用场景