3 nm 纳米片阵列
该单晶硅纳米孔/纳米片可通过快停离子电流监控的三步湿法刻蚀精确调控尺寸,为单分子分析和DNA测序提供可控且可重现的纳米结构。
Lei, Xin · 刘泽文
Microsystems and Nanoengineering 2023
通过离子电流与纳米孔尺寸的定量关系,制备过程中实时监控并停止刻蚀,单个纳米孔尺寸与理论值最小偏差仅1.4 nm。
制备的纳米片阵列特征尺寸仅3 nm,是目前报道的TSWE方法的最小尺寸,可满足高分辨率单分子检测需求。
DNA易位测量结果显示制备的单晶硅纳米孔具有应用于DNA测序的优异潜力。