γ辐照硬化β-Ga2O3肖特基二极管

辐照后性能反升

经过1 Mrad γ辐照后关键电学参数不降反升，展示了该二极管固有的抗辐照潜力。

Minwei, Liu · Mingzhuo, Hua · Tian, Xusheng · Zhengxing, Wang · Huhu, Gao · Wentao, Wang · Chen, Yiqiang · 张春福 · 赵胜雷 · 冯倩 · 郝跃

Applied Physics Letters 2023

参数信息

肖特基势垒高度

1.12 eV

理想因子

1.02

比导通电阻

2.95 mΩ·cm2

技术优势

辐照后性能反升

1 Mrad γ辐照后势垒高度升高、理想因子和比导通电阻下降，表明界面质量没有恶化，反而有所改善。

本征抗辐照

器件在1 Mrad剂量下电学特性保持稳定，说明β-Ga2O3材料本身对γ辐照不敏感，无需额外加固。

应用场景

• 抗辐照功率器件：用于核辐射环境下需要功率变换的电路，可省去额外屏蔽。
• 航天器电源系统：航天器电源中的整流器件可耐受长时间γ辐射，延长任务寿命。
• 宽禁带半导体器件：β-Ga2O3本身宽禁带，该器件在宽禁带器件中额外展现抗辐照优势。