高密度花缺陷
铒原子充当激活剂，在SiC外延石墨烯中诱导高密度花缺陷，同时实现N掺杂增强和带隙打开，为调节石墨烯电子性质提供有效手段。
段勇 · Xu, Wenting · Wenxia, Kong · 王建新 · Jinzhe, Zhang · Yang, Zhongqin · 蔡群
ACS Omega 2023
铒原子作为激活剂，在石墨化过程中诱导花缺陷形成，密度达1.52×10^12 cm^-2，约为原始石墨烯的5倍，为缺陷工程提供了高效手段。
通过改变铒覆盖度，带隙可在320–360 meV范围内调节，同时狄拉克点能量从-0.34 eV降至-0.37 eV，证明N掺杂增强与带隙打开协同发生。
第一性原理计算表明，铒大幅降低花缺陷的形成能，从热力学上解释了高密度缺陷的成因，为理性设计缺陷结构提供依据。