低电场下储能密度刷新
通过离子对工程在Bi5Mg0.5Ti3.45Zr0.05O15薄膜中引入多位缺陷偶极子,实现优异的中低电场储能性能。
Rui, Sun · 陈介煜
Applied Physics Letters 2025
通过引入多位 B 位缺陷离子对 (Mg2+ 和 Ti4+ 离子) 和弱电负性 Zr4+ 离子,增强了局域晶格畸变,解耦了畴并提供了畴恢复回复力,在中等电场下实现了 72.5 J/cm³ 的可回收储能密度。
缺陷离子对和弱电负性离子的相互作用使畴结构细化,降低了铁电滞后,从而在 72.5 J/cm³ 的高储能密度下仍然保持 70.0% 的效率。