补偿温度调控超200 K
通过离子液体栅压可逆调控Co和Gd亚晶格磁矩，进而大幅移动磁补偿温度，为自旋电子器件的全电学磁调控提供新途径。
Ren, Xue · Liu, Liang · 崔彬 · 成彬 · Liu, Weikang · An, Taiyu · Chu, Ruiyue · Zhang, Mingfang · Miao, Tingting · 周广军 · 胡季帆
Nano Letters 2023
栅压引入氢离子或氧离子迁移，分别改变 Co 和 Gd 亚晶格的磁矩，使补偿温度发生超过 200 K 的变化。
电控改变主导磁亚晶格，无需磁场即可实现磁化翻转，为全电学可逆磁调控提供新路径。
正电压下氢离子注入降低 Gd 磁矩，负电压下氧离子注入增强 Co 磁矩、降低 Gd 磁矩，机制被实验和理论计算共同证实。