Cs2AgBiBr6 忆阻器

光响应可调35.9dB

通过溴空位掺杂实现能带可调，赋予忆阻器可调光响应特性，在单一器件中集成传感、存储与计算功能，适用于机器视觉任务。

Dun, Guanhua · Li, Yuanyuan · Zhang, Hainan · 吴凡 · Tan, Xichao · Qin, Ken · Yi-Chu, He · Ze-Shu, Wang · Wang, Yuhao · Lu, Tian · Shiwei, Tian · 谢丹 · Peng, Jiali · 耿向顺 · Zhao, Xiaotong · Jia-He, Zhang · Yuhan, Zhao · Xiaoyu, Wu · 邓宁勤 · Zhu, Zhengqiang · Yan, Li · Liu, Xianzhu · 吴幸 · Hu W. · 周鹏 · Chai, Yang · Lanza Mario · 田禾 · 杨毅 · 任天令

InfoMat 2024

参数信息

可调比

35.9 dB

光响应度最大值

2.7 × 10³ mA W⁻¹

记忆保持时间

10⁴ s

能耗降低倍数（处理任务）

299

技术优势

光响应可调

Br 空位掺杂改变能带结构，使光响应度可在宽范围内连续调节，省去外部调制器。

高光响应度

最大光响应度达 2.7 × 10³ mA W⁻¹，满足机器视觉对灵敏度的要求。

长期记忆

记忆行为超过 10⁴ s，确保权重长期稳定，适合存算一体应用。

能耗大幅降低

识别和处理任务能耗分别比传统 CMOS 降低约 133 倍和 299 倍，突破传统架构的能效瓶颈。

应用场景

• 钙钛矿光电器件：用于制造可调光响应的忆阻器，简化器件结构。
• 神经形态视觉：提供集传感、存储、计算于一体的视觉突触器件。
• 智能传感：实现光信号的自适应调控，无需额外编码模块。
• 存算一体：利用长期记忆行为直接在存储单元中完成计算。
• 机器视觉：用于执行低能耗的视觉识别与处理任务。