ACZTSSe吸收层

硒化控速降缺陷

通过调控二次硒化的升温速率，同步抑制带尾态与非辐射复合，解决VOC亏损和填充因子受限两大瓶颈。

Furong, Song · 李文生 · Yongkang, Wu · Lulu, Dai · Rui, Yue · Yongzhi, Ji · 张旭强 · Hu, Kangkai · Chen, Jiangtao · Yan, Li · 赵雲

Solar Energy Materials and Solar Cells 2025

具体参数

冠军效率
{'zh': '10.22', 'en': '10.22'} %
开路电压
{'zh': '453', 'en': '453'} mV
填充因子
{'zh': '60.99', 'en': '60.99'} %
短路电流密度
{'zh': '37.01', 'en': '37.01'} mA/cm²
载流子浓度
{'zh': '5.64 × 10^15', 'en': '5.64 × 10^15'} cm⁻³

技术优势

VOC亏损直接减47 mV

通过控制硒化升温速率，抑制带尾态与非辐射复合，使开路电压亏损相对传统工艺降低47 mV。

同步解决两大瓶颈

该策略同时提升吸收层结晶质量和界面特性，一次性解决VOC亏损和填充因子受限问题。

应用场景