硫空位CoS₂纳米线

过电位降66 mV

Ar等离子体引入硫空位，活化惰性硫位点，本征析氢活性显著提升。

Liu, Fang · Wang, Fangqing · Xinyu, Sun · Wang, Ying · Liu, Yang · Shiqing, Zhang · 立瑛 · 薛彦明 · 张军 · 唐成春

International Journal of Hydrogen Energy 2024

具体参数

过电位（在10 mA cm⁻²）
{'zh': '170', 'en': '170'} mV
过电位降低值
{'zh': '66', 'en': '66'} mV

技术优势

过电位大幅降低

硫空位降低了硫原子周围的局域电荷密度，优化了氢吸附自由能，使HER活性显著增强。

稳定性好

V<sub>s</sub>-CoS<sub>2</sub>/CC表现出卓越的电化学稳定性，可长期运行。

制备快速

等离子体技术以快速高效产生缺陷著称，Ar等离子体处理可快速引入硫空位。

应用场景