3D-GaN/2D-WSe₂异质结双极晶体管

电流密度约260 A cm⁻²

以3D-GaN/2D-WSe₂作为发射极结，实现远超现有二维材料异质结双极晶体管的高电流密度和增益。

Mingjun, Xu · Guoxin, Li · Zhonghong, Guo · Jianbo, Shang · Li, Xiaohang · 高芳亮 · 李述体

Materials Horizons 2024

技术优势

电流密度约260 A cm⁻²

共基极电流增益0.996

共发射极电流增益12.4