大面积3R相MoS2薄膜

晶圆级铁电存储器

通过同质外延技术制备出高纯度的3R堆叠二硫化钼，解决了热力学竞争导致的混相问题。

刘雷 · Li, Taotao · Zhou, Liqi · Li, Yuhao · Zou, Xilu · Hu, Zehua · Ding, Zhiyuan · Fang, Susu · 徐伟高 · Hou, Xingang · 张凯 · Long, Gen · 姜昱丞 · 于志浩 · 马亮 · 王金兰 · 王欣然

Nature Materials 2025

具体参数

薄膜尺寸

{'zh': '2', 'en': '2'} inch

技术优势

晶圆级3R相

通过同质外延在单层MoS2上生长，绕开热力学竞争，获得两英寸高相纯度3R-MoS2薄膜。

缺陷促形核

提出缺陷促形核机制，其中钼取代硫空位缺陷可促进3R堆叠，为控制堆叠提供新途径。

直接造出铁电存储

用3R-MoS2沟道制备铁电半导体场效应晶体管，展示非易失存储特性，证明材料可用性。

应用场景

• 非易失存储器：铁电半导体沟道实现非易失存储，可直接用于存储器芯片。
• 非线性光学器件：3R堆叠打破中心对称，产生二阶非线性光学响应，可用于频率转换。
• 二维半导体器件：大面积高纯3R-MoS2薄膜可直接用于制造二维半导体器件。