EUV 发射增强 1.48 倍
通过沟槽约束等离子体,实现更窄的 6.7 nm 光谱和更强的 EUV 输出,为下一代光刻光源提供新方案。
Qi-Jin, Zhang · Dou, Yinping · Yibin, Zhang · Wen, Zhilin · Chaohui, Wang · Ye, Fengwei · 宋晓伟 · Xie, Zhuo · 林景全
Vacuum 2024
光谱宽度约为平面靶的三分之二
EUV 发射强度增强比为 1.48
等离子体电子密度高于平面靶