冷烧结NMO-hBN复合基板

高频低损耗

通过冷烧结工艺实现钼酸钠与六方氮化硼的致密复合，在75–110 GHz频段同时获得低介电损耗与增强的导热性能，为5G/6G封装基板提供新选择。

Mena García, Javier · Michael W., Mervosh · Pedram, Yousefian · Ndayishimiye, Arnaud · Perini, Steve E. · Li, Wenjie · 林海 · Randall, Clive A.

Ceramics International 2024

参数信息

Low dielectric loss

110 GHz

技术优势

高频损耗低

在75–110 GHz范围内，损耗角正切低，适合高频信号传输。

导热方向可控

hBN的晶体结构使热导率呈各向异性，面内导热增强，利于散热设计。

绝缘强度高

电击穿强度符合Weibull分布，可靠性可统计预测。

体积分数可调

通过调节hBN体积分数，可系统调控介电、导电和导热性能。

应用场景

• 5G/6G通信封装：作为高频封装基板，降低信号传输损耗。
• 微波介质基板：用于微波电路，提供低损耗介质层。
• 电子封装材料：代替传统材料，实现低温致密化封装。