钨互连

高温抗电迁移

为高温电子器件提供比铜互连更优异的抗电迁移失效能力,保障长期可靠性。

王勇 · Jiantao, Zeng · Xiaoyang, Liu · Fang, Yike · 梁利华 · 张元祥

2023

参数信息

电流密度
3.18×10^6 A/cm²
高电流密度
3.18×10^7 A/cm²

技术优势

抗电迁移优于铜

在3.18×10⁶ A/cm²电流密度和250°C环境下,W比Cu更难发生电迁移失效。

低温不易失效

低温下W互连很难发生电迁移。

高温失效机理明

论文分析了电子风、温度梯度、应力梯度等多种驱动力,给出了高温下互连失效行为的完整图像。

应用场景