晶格匹配多通道异质结构

高温电阻更稳

该异质结构因大的导带差异和匹配的晶格常数，在高温下能更好地抑制能带窄化和二维电子气三维化，从而保持更高的迁移率稳定性。

Wentao, Zhang · Li, Ang · 王冲 · Liu, Kai · Kuo, Zhang · 郑雪峰 · 马晓华 · 74227950

Advanced Materials Interfaces 2025

参数信息

方块电阻增幅

2.5 ×

方块电阻增幅

2 ×

技术优势

高温电阻增幅更小

在300–425 K范围内，方块电阻增幅从2.5倍降至近2倍，归因于更大的导带差异抑制了能带窄化。

抑制二维电子气三维化

大的导带差异和匹配的晶格常数使In0.10Al0.40Ga0.50N/GaN结构能承受能带窄化效应，避免量子阱变浅和二维电子气三维化。

应用场景

• 高温GaN功率器件：在高温下保持更低电阻漂移，提升功率器件高温可靠性。
• 高温功率电子：适合在300–425 K工作的功率电子系统，减少性能退化。
• 高温环境传感：在高温传感环境中提供稳定的载流子输运特性。