量子点发光二极管空穴注入层

热辅助隧穿注入

揭示偏压下界面势垒弯曲促进的空穴隧穿与电子限域协同机制，显著降低漏电流。

Lei, Shiyun · Yuanyuan, Xiao · Yu, Kanglin · 肖标 · Ming, Wan · Zou, Liyong · 尤庆亮 · 71121901

Advanced Functional Materials 2023

技术优势

确认主要注入路径

通过实验与仿真一致证明，热辅助隧穿是HTL向QD注入空穴的主要途径，为设计高效器件提供理论依据。

偏压降低势垒

外加偏压可显著降低HTL HOMO与QD价带之间的势垒高度，从而促进空穴注入，器件的开启电压有望更低。

电子被限域

HTL的LUMO在界面处发生弯曲，将电子限制在QD内，有效减小漏电流，提高器件效率。

应用场景

• 量子点发光二极管：直接利用该机制优化HTL/QD界面，提高空穴注入与发光效率。
• OLED器件：同类有机/无机界面注入机制可借鉴，改善OLED中的载流子平衡。
• micro-LED显示：注入层设计原理可迁移至micro-LED的电荷注入优化。
• 柔性显示：薄层界面控制可应用于柔性显示中的低温制备工艺。
• 光电器件：深入理解载流子注入物理，提升各类光电器件的电荷输运性能。