耐2000℃等离子烧蚀
在Ta-W合金上原位形成的致密三层ZrB₂-ZrSi₂-MoSi₂复合涂层，通过氧化生成自愈合ZrO₂骨架和液封SiO₂，在超高温等离子体环境中展现出极低的烧蚀速率。
Xiangjun, Bu · He, Pengfei · 张平 · Sun, Chuan · 梁秀兵 · Yue, Xing · Ximing, Duan · Yujie, Wang · Hu, Zhenfeng
Corrosion Science 2024
烧蚀过程中表层高硅含量、相分布均匀的过扩散硅层能生成足量SiO₂，持续1000秒不被耗尽。
氧化生成骨架结构ZrO₂和液态SiO₂，液态SiO₂流动填充孔隙，形成连续致密保护层。
在9.8 MW/m²等离子体烧蚀1000秒条件下，涂层表现出优异的抗烧蚀性能，烧蚀温度超过2000 ℃。