多孔约束离子忆阻器

双向抑制突触

首个能在正负刺激下都保持抑制性突触行为的器件,为全抑制神经网络提供了关键元件。

Chen, Kang · Pan, Keyuan · Shang, He · Liu, Rui · Zhou, Zhe · Duoyi, Zhu · 刘正东 · He, Zixi · Hongchao, Sun · Wang, Min · Kaili, Wang · 唐明华 · 刘举庆

Advanced Science 2024

参数信息

非易失存储时长
60 min

技术优势

正负刺激都能抑制

离子在纳米缝隙中的迁移、捕获和去捕获机制使器件在正、负电压刺激下均产生抑制性突触后电流,可用于实现全抑制神经网络。

记住状态近一小时

多次刺激后,器件能保持约60分钟的低电平非易失存储,为神经形态计算中的长期记忆提供稳定基础。

直接做推理训练

该突触器件具备神经节点的特征推理和训练能力,可作为神经形态计算中的基本单元参与在线学习。

应用场景