PS/CeO₂核壳磨料

高去除率低损伤

用于超声振动辅助化学机械抛光碳化硅陶瓷，兼顾材料去除率与表面质量，其核壳结构可在抛光初期保持稳定。

姜胜强 · Liuqing, Liu · Jingjie, Wang · 李旭 · Mei, Ming · 刘思思 · 徐志强

Applied Surface Science 2025

参数信息

材料去除率

8.44 μm/h

表面粗糙度（抛光前）

0.118 μm

表面粗糙度（抛光后）

0.106 μm

技术优势

去除率提升

PS/CeO₂磨料在超声振动辅助抛光中达到8.44 μm/h的材料去除率，高于传统磨料。

表面更光滑

抛光后表面粗糙度Ra从0.118 μm降至0.106 μm，表面质量提升。

损伤更低

与传统磨料相比，PS/CeO₂磨料造成的表面损伤更小。

应用场景

• 碳化硅衬底抛光：用于碳化硅衬底的超声振动辅助抛光，兼顾效率与表面质量。
• 精密表面加工：在精密加工中获得更低表面粗糙度，减少后续工序。
• 半导体晶圆减薄：实现晶圆高效减薄同时控制表面损伤。