多层PdSe₂场效应晶体管

耐流为MoS₂器件五倍

首次揭示多层PdSe₂ FET的失效电流密度远高于MoS₂，并指出界面热阻是限制其性能的关键。

Jiaqiu, Xie · Ze-Hao, Yu · Yuanchen, Sun · Gan, Qikang · 刘晨晗 · Wang, Lei · 张力发 · 赵云山

Advanced Materials 2025

具体参数

Max current density

{'zh': '', 'en': '2.74'} MA cm⁻²

Thermal boundary conductance

{'zh': '', 'en': '13'} MW m⁻²