链长调控电容
通过原位插入不同链长的线性有机离子，扩大MoS2层间距并引入插层赝电容，实现比电容显著提升。
Wang, Weixin · Wang, Zhongliao · 王新 · 张永兴 · 王欣 · 朱雪斌 · 王昕
ACS Applied Materials & Interfaces 2024
通过选择不同链长的线性有机离子，可以按需扩大MoS2层间距，从而为离子存储提供更大空间。
DFT计算表明，随着链长增加，负吸附位点和总吸附能力增加，导致比电容显著提升。
插层后层间距扩大，通过原位XRD证实了插层型赝电容的引入，改善了电荷存储动力学。