蛋黄壳Si/C负极

高倍率长循环

内部空隙缓冲硅体积膨胀,免除HF刻蚀的规模化友好合成策略。

Siyue, Fu · 周建华 · Guojing, Wu · Liu, Wenping · Qin, Haiqing · Chenyan, Liu · Tomohiro, Sato · 彭英 · Miao, Lei

Sustainable Materials and Technologies 2024

具体参数

比容量(2 A g⁻¹)
{'zh': '988', 'en': '988'} mA h g⁻¹
比容量(300次循环后)
{'zh': '722', 'en': '722'} mA h g⁻¹
可逆比容量(500次循环后)
{'zh': '557', 'en': '557'} mA h g⁻¹

技术优势

内部空隙缓冲膨胀

蛋黄壳结构中的内部空隙为硅的体积膨胀提供了缓冲空间,从而在循环过程中保持电极完整性。

避免使用HF

采用温和的合成策略,避免了传统蛋黄壳结构制备中常用的HF刻蚀,降低了安全风险并有利于大规模生产。

涂层更均匀

通过原位溶剂热反应形成的ZIF层有效减少了溶剂中孤立ZIF的出现,从而实现了对纳米硅颗粒更好的包覆。

应用场景