离子轰击GeSe忆阻晶体管

低压突触仿生

该器件通过低能离子辐照调制界面势垒，在p型GeSe纳米片上实现三端忆阻功能，能够模拟多种生物突触可塑性。

Jing, Wang · Dong, He · Chen, Rui · Hang, Xu · Wang, Hongbo · Menghua, Yang · Zhang, Qi · Changzhong, Jiang · 李文庆 · Ouyang, Xiaoping · 肖湘衡

InfoMat 2023

技术优势

界面势垒可调

通过低能离子轰击在p型GeSe纳米片上调制界面势垒，实现对器件导电行为的有效控制。

模拟多种突触功能

器件成功模拟了短期可塑性、长期可塑性、双脉冲易化和脉冲时间依赖可塑性等生物突触功能。

机制得到验证

界面调制机制通过实验和理论计算双重验证，确保了器件的可靠性和可预测性。

应用场景

• 神经形态计算硬件：作为低功耗类脑计算的基本单元，实现突触可塑性模拟。
• 人工突触器件：提供可调的界面势垒，用于模拟多种突触行为。
• 二维材料电子器件：利用离子轰击技术，拓展了二维材料在突触器件中的应用。