原子级平整界面
ALD法制备的非晶Ga2O3直接集成于金刚石形成II型能带排列，界面热导高达19.22 MW/(m²·K)，有望为高功率Ga2O3器件提供金刚石散热解决方案。
Lin Gu · 马宏平 · Li, Yuan · An-Feng, Wang · Chen, Wenjie · Tang, Zhuorui · Shen, Yi · 孙方远 · Zhu, Jingtao · 张清纯
Applied Surface Science 2023
测得Ga2O3/金刚石界面热边界电导高达19.22 MW/(m²·K)，可有效将器件热量导入金刚石散热。
XPS分析确认异质结为II型交错排列，价带和导带带阶分别约1.18 eV和2.09 eV，为器件设计提供依据。
AFM测得Ga2O3薄膜RMS粗糙度仅0.184 nm，金刚石衬底为0.508 nm，有利于界面质量。