<100>取向PMN-PZT薄膜

压电系数翻倍

在硅衬底上制备的高质量<100>取向PMN-PZT薄膜，压电响应远高于多晶薄膜和传统PZT薄膜，适合MEMS器件集成。

Zhuo, Chen · Jiang, Xianyao · Yuyang, Qian · Yile, Gu · Qinyao, Zhu · Yuan, Yao · Gao, Zhongchen · 段志华 · 王涛 · 唐艳学 · 赵祥永 · Li Xiaobing

Journal of the European Ceramic Society 2025

参数信息

压电系数

484 pC/N

剩余极化

49 μC/cm²

技术优势

压电系数翻倍

d33高达484 pC/N，约为多晶PMN-PZT薄膜的2倍，显著提升器件灵敏度。

高剩余极化

剩余极化达49 μC/cm²，有利于提高压电响应和稳定性。

硅基集成

直接在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长，兼容MEMS工艺，无需复杂转移。

钙钛矿结构

X射线衍射证实为钙钛矿相，保证优良铁电压电性能。

应用场景

• 压电MEMS：提供高压电系数的薄膜，提升微传感器和执行器性能。
• 精密传感与执行器：高d33实现更灵敏的位移和力输出。
• 可穿戴医疗器件：薄膜可与柔性或微型器件集成，用于健康监测。
• 物联网传感器：高响应薄膜可提高传感器灵敏度，适用于低功耗节点。