超低晶格热导
通过AgBiTe2合金化将p型GeTe调控为n型,并构建分级微观结构,同时获得高功率因子与超低晶格热导率。
Wang, Dezhuang · Liu W.-D. · Li, Meng · 正坤 · Hanwen, Hu · Yin, Liangcao · 王一峰 · He, Zhu · Shi, Xiaolei · Xiaoning, Yang · 刘庆丰 · Chen, Zhigang
Advanced Functional Materials 2023
通过AgBiTe2合金化降低Te空位形成能,将p型GeTe调控为n型,解决了高性能模块对匹配n型材料的迫切需求。
分级结构(相界、纳米析出相、点缺陷)有效散射声子,将晶格热导率压低至0.39 W m⁻¹ K⁻¹,有利于维持温差。
AgBiTe2合金化将载流子浓度调至近优值,在423 K获得6.2 µW cm⁻¹ K⁻²的高功率因子,保证电输出能力。
单臂器件在300–500 K温差下实现6.6%的最大转换效率,证明该材料在模块中具有实际应用潜力。