Cu─In─S量子点

峰效17.6% NIR-QLED

一种环境友好的近红外发光量子点，通过前驱体活性优化及ZnS壳层包覆，实现了超高光致发光量子产率，并以其制备的近红外量子点发光二极管获得了同类最高外量子效率。

Yuanyuan, Xiao · Zhiheng, Cheng · Jingjing, Xu · Zongzhe, Li · Jiaming, Xie · Liu, Shujuan · 赵宝锋 · Yu, Yun · Tianrong, Zhu · 尤庆亮 · 肖标 · Renqiang, Yang

Advanced Optical Materials 2025

参数信息

光致发光量子产率（核量子点）

40.0 %

光致发光量子产率（ZnS壳包覆后）

93.3 %

外量子效率

17.6 %

技术优势

量子产率大幅提升

通过前驱体活性优化，核量子点PLQY达40.0%；ZnS壳层包覆后提升至93.3%，有效钝化表面缺陷，减少非辐射复合。

器件效率创纪录

在发光层中采用VOC2O4作空穴注入层，增强空穴注入并降低效率滚降，使近红外QLED的峰值EQE达到17.6%，为发射峰超过800 nm器件的最高值。

环境友好无重金属

采用无镉、无铅的Cu─In─S量子点，避免了有毒重金属，更符合环保要求。

电荷注入增强

阻抗谱证实引入VOC2O4后电荷注入和传输特性改善，有助于提升器件性能。

应用场景

• 近红外发光器件：用作近红外QLED的发光层，实现高效率发射。
• 光学传感器：近红外发光可用于光学传感器的信号转换。
• 光谱分析：作为近红外光源，用于光谱分析中的激发或标记。
• 光通信：在光通信中作为近红外发射材料，用于信号传输。