CuI/SiC紫外探测器

高开关比快速响应

在n-SiC外延层上定向生长p型CuI薄膜，形成高质量异质结，紫外探测性能显著提升。

Xia, Yang · 吕燕飞 · 席俊华 · Li, Fu · 陈飞 · 赵士超

Materials Letters 2025

参数信息

上升

250 ms

响应度

68 mA/W

探测率

1.56 × 10¹¹ Jones

技术优势

开关比 4.33 × 10⁶