CuI/SiC紫外探测器

高开关比快速响应

在n-SiC外延层上定向生长p型CuI薄膜，形成高质量异质结，紫外探测性能显著提升。

Xia, Yang · 吕燕飞 · 席俊华 · Li, Fu · 陈飞 · 赵士超

Materials Letters 2025

具体参数

上升

{'zh': '250', 'en': ''} ms

响应度

{'zh': '68', 'en': ''} mA/W

探测率

{'zh': '1.56 × 10¹¹', 'en': ''} Jones

技术优势

开关比 4.33 × 10⁶