MoS₂/HfO₂光电晶体管

高响应宽带探测

集成光电导与光电门控效应，利用高κ介质和hBN隔离层实现高增益宽带探测。

Imran, Ali · He, Xin · Jiwei, Liu · Zhu, Qinghai · Sulaman, Muhammad · 雪飞 · Xu M. · 杨德仁

Science China Information Sciences 2024

具体参数

光照下响应度

4.5 × 10⁸ A·W⁻¹

比探测率

6.20 × 10¹⁶ Jones

迁移率

11.65 cm²·V⁻¹·s⁻¹

Broadband response

1000 nm

技术优势

外量子效率0.72 × 10⁶