揭示双磨粒刻划中磨粒间距对亚表面缺陷耦合与裂纹萌生的强耦合机制，为超精密磨削光学晶体提供力学依据。
Lingwen, Tan · Yunxiang, Zhou · Qi, Yan · Haoyu, Yang · Zhang, Zhenting · 顾鹏 · 李铎 · 张鑫泉 · 任明俊 · 朱利民
Journal of Materials Processing Technology 2026
第二道刻划力随间距先增后减，源于接触几何与首次刻划引起的局部变形抗力变化的竞争。
中等间距下相邻塑性变形区重叠最有效，形成非对称W形堆积，最大拉主应力促进径向裂纹萌生。
强耦合亚表面区域仅由纳米晶、高密度位错和显著晶格旋转组成，未检测到非晶化，表明损伤形式可控。