硒掺杂MoS₂/CoFe₂O₄/CNT异质结构

增强电磁波吸收

通过相工程和结构优化，在MoS₂中构建1T/2H混相和硒空位，结合磁性纳米球和碳纳米管网络，实现高效电磁波衰减

Zhigang, Wu · 陈晋 · Ma, Yuzhao · 杨晓凤 · 李延军

Chemical Engineering Journal 2025

具体参数

硒掺杂及插层膨胀引入高密度

{'zh': '2', 'en': ''} H/1T

技术优势

损耗能力更强

硒掺杂诱导1T相并产生硫空位，增强了偶极子分布和界面极化，从而提升了介电损耗。

导电性提高

金属-半导体混相的存在直接改善了材料的导电性，利于电子传输和欧姆损耗。

电磁匹配更好

CoFe₂O₄磁性纳米球和碳纳米管网络被封装在花状MoS₂中，这种结构优化了阻抗匹配，让更多电磁波进入材料而非被表面反射。

散射抑制有效

雷达散射截面（RCS）仿真证实该材料在实际场景下能显著减少电磁散射信号，降低被探测概率。

应用场景

• 电磁波吸收材料：作为吸波填料，用于制备宽频、高效的电磁波吸收涂层或结构件。
• 隐身涂层：涂覆于装备表面可降低雷达散射截面，实现隐身效果。
• 电磁屏蔽设备：填充于屏蔽壳体或垫片，衰减干扰电磁波，保护敏感电路。
• 5G毫米波抗干扰：用于5G毫米波频段，吸收杂散信号，减少设备间干扰。