间隙位点预占据ALD薄膜

高迁移率低缺陷

通过三步子循环预占据间隙位点消除成核延迟，获得比传统超循环更致密、缺陷更少的多组分氧化物薄膜。

苏国平 · Haoyan, Chen · 宁洪龙 · Fu, Xiao · Li, Muyun · Yang, Yuexin · 梁智昊 · 姚日晖 · 彭俊彪

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

具体参数

Mobility

27.31 cm² V⁻¹

Vth

+0.8 V/-0

技术优势

薄膜更致密、缺陷更少（与常规超循环工艺相比）