p-GaN栅极HEMT

高温栅偏下更稳定

该器件在高温反向栅极偏置下阈值电压漂移可忽略,优于正向偏置的明显负漂。

Kun, Jiang · Jing, Deng · Ni, Yiqiang · Jun, Liu · Liu, Xin · He, Zhiyuan · He, Liang

2023

技术优势

+5 V高温栅偏应力后阈值电压明显负漂

-5 V高温栅偏应力后阈值电压漂移可忽略

+5 V高温栅偏应力后漏源导通电阻增加