金凸点键合

高温储存强度先降后升

面向2.5D电子封装异质集成的金凸点键合，其断裂行为随高温储存时间发生界面转移，为长期可靠性评估提供依据。

Xiangou, Zhang · Wang, Yuexing · Sun, Xiangyu · Deng, Zejia · Pu, Yingdong · Ping, Zhang · Huang, Zhiyong · 70207577

Microelectronics International 2023

技术优势

断裂模式可预测

随高温储存时间增加，断裂位置依次在 Cu 焊盘/Au 凸点界面、Au 凸点内部、Au 凸点/Al 焊盘界面间转移，失效模式有明确规律。

强度变化有拐点

键合强度随储存时间先降低后升高，说明存在最薄弱阶段，可在工艺设计中避开。

IMC 是主控机制

Au 与 Al 原子反应生成的金属间化合物是键合强度和断裂行为变化的关键，掌握其演化即可理解可靠性。

应用场景

• 2.5D/3D芯片封装：用 Au 凸点实现商用芯片异质集成，并评估长期高温可靠性。
• 电子可靠性检测：通过芯片剪切测试和微观表征，掌握 Au 凸点的失效演化。
• 异质集成：为 2.5D 封装中 Au 凸点互连提供可靠性依据，避免界面失效。