芯片热点降温近50°C
Al2O3/HfO2叠层结构同时解决二维器件散热差和界面电学性能退化的问题。
黄剑 · Li, Yifan · Xiaotong, Yu · Zexin, Liu · Wang, Fanfan · Yue, Yue · 张荣 · Ruiwen, Dai · 杨凯 · Liu, Heng · 樊庆扬 · 陈强 · 王智强 · 高源 · 辛国庆
ACS Applied Materials & Interfaces 2024
Al2O3与MoS2之间的增强接触、更大的振动声子重叠区域以及更强的界面键合力提高了跨界面散热效率，相同输入功率密度下器件温度大幅降低。
界面处被压制的电子散射和陷阱态使场效应迁移率和电流显著提高，没有为了散热牺牲电学性能。
使用标准的Al2O3/HfO2叠层结构，与现有高k介电层集成工艺兼容，可直接用于二维器件制造。