肖特基-MIS级联漏极GaN晶体管

正向压降仅3.1V

用肖特基-MIS级联漏极替代传统欧姆漏极，同时实现低导通压降和超低漏电流，无需在效率与耐压之间妥协。

Wang, Fangzhou · Changhong, Gao · Ding, Guojian · Cheng, Yu · 王晓亮 · 汪卓成 · Xiaohui, Wang · Feng, Qi · Yu, Ping · Chen, Xinghuan · Wang, Yang · 陈万军 · 贾海强 · 陈弘 · 张波 · Wang, Zeheng

IEEE Electron Device Letters 2024

参数信息

正向压降

3.1 V

反向漏电流

1×10⁻⁸ A/mm

反向功率优值

120 MW/cm²

技术优势

正向压降大幅降低

肖特基-MIS级联漏极在正向偏置下具有更高的电子浓度，使得正向压降显著低于传统欧姆漏极结构。

反向漏电流超低

在反向偏置时，级联漏极有效保护肖特基接触免受高反向电位影响，从而保持极低的反向漏电流。

兼顾效率与耐压

该器件同时实现了低正向压降和超低漏电，消除了效率与反向阻断能力之间的折衷。

应用场景

• 低损耗功率器件：低导通压降和低漏电可减小功率器件自身损耗。
• 高效电源转换：正向压降降低，提升电源转换效率。
• 电池管理功率开关：反向阻断及低漏电适合电池保护开关。
• 电机驱动：低损耗提升电机驱动系统能效。