D-J相锡基钙钛矿薄膜

空穴迁移率比肩非晶硅

该D-J相层状钙钛矿通过消除范德华间隙增强了层间耦合，在环境条件下工作稳定，解决了二维钙钛矿晶体管面外电荷传输差的难题。

Ji, Hongyu · 刘欣 · Li, Longtao · 张帆 · 秦亮 · 娄志东 · 李丹 · 胡煜峰 · 侯延冰 · 滕枫

Journal of Materials Chemistry A 2023

参数信息

空穴迁移率

0.58 cm2 V−1 s−1

技术优势

消除范德华间隙

单一BDA2+层消除了R-P相钙钛矿中的范德华间隙，增强了结构稳定性并减小量子阱效应。

面外传输更优

强的层间电子耦合通过缩短的顶端I-I相互作用改善面外电荷传输，突破了二维R-P相的限制。

应用场景

• 柔性晶体管：薄膜可在聚合物基底上制备，用于柔性显示和传感器。
• 钙钛矿电子器件：高迁移率和稳定性使其适用于钙钛矿光电器件。
• 集成电路：迁移率接近非晶硅，有望用于低成本集成电路。