忆阻迟滞与堆垛层错相变共存
退火微量硫使碳纳米管壁产生堆垛层错，形成半导体与金属相共存的局域结构，在忆阻开关行为下可发生半导体到金属的转变。
Yan, Liu · 王珊玲 · 郭建 · Wu, Hansong · 雷力 · Joanna, Borowiec · Odunmbaku, Omololu G. · Xilong, Guo · Boi, Filippo S.
Journal of Materials Chemistry C 2025
堆垛层错区域在电场作用下可在半导体态和金属态之间转变，为器件提供可逆的电阻开关。
仅需退火引入微量硫即可在CNT壁中形成堆垛层错和部分非晶化，工艺简单，成本低。