双层磁屏蔽室

中心零场环境

该屏蔽室通过临时附加外场退磁,使中心残余场降至0.7 nT,比常规退磁低一个数量级,无需持续供电。

王增辉 · 李海涛 · 张海峰 · Lu, Zhang · Shicheng, Yu · Yang, Siyi · Haoan, Wang · Zhenzhen, Zhang · 韩邦成 · 郑世强

Measurement: Journal of the International Measurement Confederation 2026

参数信息

中心区域平均残余磁场
0.7 nT

技术优势

残余场降低一个数量级

通过调节材料剩余磁通密度精确补偿外部渗透分量,使0.125 m3中心区域平均残余场从9.4 nT降至0.7 nT,降幅超过一个数量级。

无需持续供电

调节完成后,材料保持预设剩余磁通密度,屏蔽室无需外部电源维持,降低了运行成本和复杂度。

不引入电子噪声

该方法不依赖有源线圈或电子反馈系统,因此不会向屏蔽环境引入额外的电子噪声,适合高灵敏度测量。

应用场景