原位中熵陶瓷涂层

900°C低温可制备

采用熔盐歧化反应在C/C复合材料表面原位构建的(TiZrHf)C涂层,兼具优异的抗氧化与抗烧蚀性能。

Guo, Wenjian · Gong, Jinyu · 朱利安 · 叶益聪 · 张士峰 · 白书欣

Journal of the European Ceramic Society 2025

参数信息

制备温度
900 °C
涂层厚度
20 μm

技术优势

制备温度低

涂层通过原位熔盐歧化反应在900°C即可形成,大幅降低了对高温设备的依赖。

成分均匀

涂层中Ti、Zr、Hf三种元素分布均匀,典型的中熵陶瓷特性确保性能一致。

抗氧化可调

通过提高Ti含量可获得更大氧化物晶粒和致密晶界,从而提升抗氧化性能。

抗烧蚀提升

烧蚀过程中适量液相TiO₂形成,稳定氧化物层,从而改善抗烧蚀性能。

应用场景