栅调超掺杂p型二维晶体管

空穴密度破纪录

利用第三类范德华异质结的层间电荷转移,通过栅压实现远超静电掺杂极限的超掺杂,使p型二维半导体晶体管接触电阻极低、开态电流密度创纪录。

Zhao, Bei · Zhang, Zucheng · Dingli, Guo · Guiming, He · Lu, Ping · Kun, He · 李佳 · Chen, Zhao · Ren, Quan · Miao, Lin · Lü, Junpeng · 倪振华 · Duan, Xiangfeng · 段曦东

Science 2025

具体参数

空穴密度
1.49×10¹⁴ cm⁻²
接触电阻
约0.041 kΩ·μm
开态电流密度
约2.30 mA/μm
载流子密度为栅电容电荷
约5 倍