SiC化学机械抛光液

去除率可预测

磁流变化学抛光液通过机械与化学协同作用，可同时对碳化硅晶片实现高去除率和低表面粗糙度抛光。

Liang, Huazhuo · Fu, Youzhi · 周文杰 · Mo, Ling · Yue, Jian · 文琦 · 刘大伟 · He, Junfeng

Micromachines 2025

参数信息

预测模型平均绝对百分比误差

<2 %

技术优势

预测误差小于2%

BP神经网络建立的去除率和表面质量预测模型，平均绝对百分比误差均小于2%，可用于在线监控和工艺优化。

机械化学协同抛光

磁流变化学抛光采用机械去除与化学作用相结合，协同效应可获得更好的抛光效果，同时提高去除率并降低表面粗糙度。

应用场景

• 晶圆抛光：用于单晶碳化硅晶片的高效抛光，同时获得高去除率和低表面粗糙度。
• SiC衬底加工：用于SiC衬底材料的精密加工，通过预测模型优化工艺参数以保证加工质量。
• 精密抛光：用于需要高精度表面质量的抛光场景，实现在线监控与工艺优化。