ZT峰值1.45，晶格热导率0.27 W m⁻¹ K⁻¹
通过三相层级结构设计——相调控、化学键工程与能带工程协同解耦电声输运，在宽带温域实现优于多数铜基硫族化合物的热电性能。
Shan, Zhihang · Li, Hezhang · Xingyuan, Qi · Chunyu, Li · Pei, Jun · Zhang B.-P.
Advanced Energy Materials 2026
通过相调控与能带工程，在523–773 K宽温域内ZT均处于高位，超越多数已报道铜基硫族化合物。
通过构建点缺陷、位错、界面与纳米孔等多尺度缺陷，实现0.27 W m⁻¹ K⁻¹的超低晶格热导率。
In³⁺掺杂弱化Cu─S/Se键，增强反键态，导致晶格软化并强化超离子行为，有利于降低晶格热导。
Se²⁻合金化通过增加构型熵稳定高对称多相共存，诱导有益的价带平坦化，从而提升塞贝克系数。