GaN/SiC单片集成倍频源

功率突破无合成

该倍频源通过GaN/SiC单片集成工艺优化热阻结构，在未使用功率合成的情况下实现了连续波输出功率突破。

Yazhou, Dong · 周军 · Liang, Huajie · Zhou, Tianchi · Shuhan, Zhou · Xuan, Zeng · 梁士雄 · Gu, Guodong · Zhang, Lisen · 冯志红 · 王宏强 · Qi, Yang · 杨自强 · 张雅鑫

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 2025

具体参数

室温下

140 GHz

室温下

170 GHz

室温下

220 GHz

技术优势

未使用功率合成技术