该器件在重复浪涌电流应力下的失效机制被系统揭示，有助于改善GaN功率开关的可靠性。
Xiaoming, Wang · 陈万军 · 孙瑞泽 · Liu, Chao · Chen, Xinghuan · Xia, Yun · Xu, Xiaorui · 汪卓成 · Luo, Pan · Yuhao, Zhang · 张波
IEEE Transactions on Electron Devices 2023
实验表明，器件在较高的栅-源电压下表现出更好的浪涌电流可靠性，这为实际驱动条件选择提供了依据。
发现随着应力循环增加，栅-源/漏接入区的沟道退化占据主导地位，解释了浪涌电压的转折现象。