GaN纳米空气通道二极管

高整流比抗辐射

利用GaN-Au功函数差异实现低导通电压下的超高整流比，同时具有优异的抗中子辐射能力，适用于超快集成电路。

Wei, Yazhou · 陈飞良 · Zhang, Yu · Zhao, Haiquan · 李沫 · Jian-Jian, Zhang

Advanced Science 2024

具体参数

导通电压

0.3 V

输出电流

5.02 mA

技术优势

整流比高达2.2 × 10⁵