富硅SiN栅GaN p-FET

空穴迁移率创纪录

采用富硅LPCVD SiNx栅介质，在增强型GaN p沟道晶体管中实现高空穴迁移率，为p沟道功率集成提供高性能器件方案。

Zhu, Liyang · Chen, Kuangli · Ying, Ma · 蔡勇 · 周春华 · Li, Zhaoji · 张波 · 周琦

Journal of Semiconductors 2023

参数信息

输出电流

1.6 mA/mm

阈值电压

-2.3 V

关态漏电流

1 nA/mm

阈值电压回滞

0.1 V

技术优势

驱动电流够大

得益于迁移率提升，增强型器件输出电流达1.6 mA/mm，满足功率集成需求。

阈值电压稳定

在栅压摆幅至-10 V时，阈值电压回滞仅0.1 V，为文献中最佳结果之一。

关态漏电低

在0 V栅压下器件完全夹断，漏电流仅1 nA/mm，实现良好的增强型关断。

应用场景

• GaN功率集成电路：作为p沟道器件，与n沟道GaN器件单片集成，实现全GaN功率IC。
• p沟道功率器件：提供高性能p沟道开关，弥补GaN功率器件缺乏p沟道的短板。
• GaN互补逻辑：与n沟道器件配对构建互补逻辑，降低静态功耗。
• 高频功率开关：利用高迁移率实现快速开关，适用于高频功率转换电路。