硅上直接带隙发光
在硅衬底上原位形成的六方锗纳米结构，不同于常见的立方相间接带隙锗，具备直接带隙发光特性，为硅基光电子集成提供兼容光源。
张宁宁 · Jia, Yan · 王黎明 · Zhang, Jiarui · Zhang, Zhifang · Tian, Miao · 郑长林 · 蒋最敏 · 胡辉勇 · 钟振扬
ACS Nano 2023
六方锗纳米结构具有直接带隙，室温下在1562 nm附近产生强光致发光，绕开了立方锗间接带隙低效发光的限制。
光致发光光谱在近室温范围内几乎不随温度变化，有利于器件在非严格温控环境下工作。
六方锗在硅衬底上原位形成，与成熟硅技术兼容，可直接集成到硅基光电子集成电路中，无需异质键合。