级联型GaN-Si(100)单片异质集成开关

反向阻断能力最强

一种与Si(100)异质集成的增强型级联开关，同时具备正向和反向高耐压能力，且动态导通电阻退化极低。

Yutong, Fan · 张苇杭 · Zhang, Yachao · Wu, Yinhe · 冯欣 · 刘志宏 · Jiang, Yang · Mak, Pui In · 74227950 · 张进成

IEEE Electron Device Letters 2025

具体参数

正向栅极电压摆幅

{'zh': '16.27', 'en': '16.27'} V

技术优势

正向PFOM 1.35 GW/cm²，反向PFOM 1.27 GW/cm²

在1900 V漏极应力后动态/静态RON比仅1.104

应用场景

• GaN功率开关：作为高性能功率开关器件，用于高频、高压电源转换系统。
• 双向阻断器件：在需要双向电压阻断的电路中，如矩阵变换器、固态断路器等，替代传统的串联二极管方案。
• 高压功率集成电路：其单片异质集成特性便于与硅基控制电路集成，构成高压功率集成电路。
• 高效电源转换：通过极低的导通电阻和动态电阻退化，大幅减少导通和开关损耗，提升转换效率。